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Bei der Temperatur ist es 300 ° in den Lebensmitteln der Reaktionen fast vollständig höher fehlt. Für die Erhöhung des Ausgangs die Temperatur des Prozesses verringern, was zur bedeutenden Verzögerung die Reaktionen bringt (. Für die Vergrößerung der Geschwindigkeit der Reaktion die Katalysatoren (das Kupfer, das Eisen, das Aluminium u.a.). So geht, bei der Einleitung ins Ausgangssilizium bis zu 5 % des Kupfers der Inhalt in der Mischung der Lebensmittel der Reaktion bei der Temperatur 265 ° bis zu 95 %.

Bei der Größe der Kristalle des Siliziums mit der sehr niedrigen Dichte der Versetzungen entsteht der Typ der Defekte, die, wahrscheinlich, ausschließlich für die Halbleiterkristalle charakteristisch sind und zur Zeit werden intensiv untersucht. Wegen ihres kleinen Umfanges nennen als die Mikrodefekte.

Für die optimalen Bedingungen des Prozesses der Wiederherstellung halten die Temperatur 1100—1150 °, die Beziehung 2: SiHCl3 in 5-15, die Dichte der Abgabe das 0,004 Mol / ( ·. Bei als die Kerne ist es optimal niedriger es wird die Stufe in des Siliziums erhöht und es verringert sich der Ausgang des Siliziums. Die Vergrößerung der Temperatur bringt zum wesentlichen Anwachsen. Bei optimal die Beziehung 2: SiHCl3 = haben 5-15 Kerne dicht die Struktur und die verhältnismäßig ebene Oberfläche. Außerhalb dieser Beziehungen bildet sich die ungleichmäßige Oberfläche, die Struktur der Kerne wird mit den Einschlüssen gas-, die beim nachfolgenden Schmelzen des Polysiliziums im Laufe der Züchtung der Kristalle zu und bringen.

bekommen mittels der Hydrochlorung gewöhnlich: von der Wechselwirkung des technischen Siliziums mit chlorhaltig oder mit der Mischung der Gase, die den chlorhaltigen Wasserstoff enthalten, bei 260—400 °.

Am Anfang des Prozesses der Größe des Einkristalls wird der Teil des Einkristalls für die Beseitigung darin der Grundstücke mit der erhöhten Dichte der mechanischen Anstrengungen und den Defekten geschmolzen. Dann geschieht allmählich des Einkristalls aus.

Der betrachtete Prozess des Fällens polykristallin wird auch für das Erhalten auf seiner Grundlage der Rohre auf kohlenstoff- verwendet. Infolge der hohen Sauberkeit und der Haltbarkeit werden diese Rohre anstelle quarz- in den Ofen der Hochtemperaturprozesse (von oben 1200 °) in der Technologie der Halbleiter- und mikroelektronischen Geräte verwendet. Kiesel- sind oder anderer Deformation im Laufe von einigen Jahren des Betriebes, ungeachtet ständig zwischen 900 und 1250 °ß nicht unterworfen, während die Quarzrohre die begrenzte Laufzeit bei den selben Prozessen haben.

Nach der zweiten Modifikation der Prüfungsmethode den Einkristall züchten unmittelbar aus der Gasphase auf den Kern im winzigen Quarzreaktor weiter messen seinen spezifischen Widerstand.

Technisch ist und ökonomisch konkurrenzfähig im Vergleich zu betrachtet auch die Methode des Erhaltens des polykristallinen Siliziums mittels der Zerlegung des Silans SiH4 der hohen Sauberkeit. Dessen Prozess des Erhaltens auf das Folgende zurückgeführt wird.

Das Silizium verfügt über das diamantartige kristallinische Gitter, das in Form von zwei der Gitter vorgestellt sein kann. Der Parameter des Gitters - 54, die kürzeste Entfernung zwischen den Atomen - 23. Die legirujuschtschije Atome ersetzen die Atome des Siliziums, ihren Platz im kristallinischen Gitter belegend. Wesentlich von den Atomen sind das Phosphor (5 der Spender der Ersetzung) und den Nadelwald (3 der Akzeptor der Ersetzung). Ihre Konzentration übertritt 10-8 atomare Prozente gewöhnlich nicht.

Die moderne Technologie des polykristallinen Siliziums ist auf dem Prozess der Wasserstoffwiederherstellung, der Wiederherstellung des Siliziums vom Zink und der Pyrolyse des Monosilans gegründet, den Großen Teil des Siliziums (daneben 80 %) bekommen mittels der Wasserstoffwiederherstellung (). Die Vorzüge dieses Prozesses — die Leichtigkeit und die Wirtschaftlichkeit des Erhaltens, die Effektivität der Reinigung, die Extraktion und die große Geschwindigkeit des Fällens des Siliziums des Siliziums bei der Nutzung des Siliziums 15 %, und unter Anwendung von — nicht weniger 30 %), die kleineren Selbstkosten der Produktion.